Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд

Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд 5,00
всего оценок: 1
Загрузка...
Универсальный рейтинг: 2.5 Автор: Филипп Госез Объем: 443 стр.

Жанры:

зарубежная образовательная литература физика электроника микроэлектроника наноматериалы нанотрубки научные исследования научные открытия Филипп Госез

Читать онлайн:

Страница 1 из ?
Загрузка книги...
Страница 1 из ?

Описание:

Книга автора Филипп Госез. Относится к жанрам: микроэлектроника, наноматериалы, нанотрубки, научные исследования, научные открытия. Объем: 443 стр.. Дата написания: 2007. Возрастное ограничение: 0+.

Вы можете в один клик скачать книгу ‘Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд’ в форматах fb2, ePub, txt без регистрации. Или же, выбирая подходящий Вам вариант, читать онлайн ‘Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд’ на нашем сайте. Здесь Вы легко сможете выбрать нужную книгу в соответствии со своими предпочтениями.

Если Вы ещё не определились с выбором, то посмотрите разделы «Рейтингов» и «Обзоров книг» нашего сайта, там сможете подобрать книгу или серию книг, которые Вам обязательно понравятся.

Аннотация:

Книга содержит семь аналитических обзоров ведущих ученых Европы и США. Материал дает представление о важных изменениях, произошедших в физике сегнетоэлектриков за последние 20 лет. Рассматриваются концептуальные достижения теории сегнетоэлектричества, новые технологии получения тонких эпитаксиальных пленок оксидных сегнетоэлектриков и сверхрешеток и методы их исследования. Описываются результаты теоретических и экспериментальных исследований размерных эффектов в тонких и сверхтонких сегнетоэлектрических пленках, сегнетоэлектрических наночастицах и нанотрубках. Приводятся результаты изучения доменных стенок в тонких сегнетоэлектрических пленках, а также данные по исследованию мультиферроиков. Полученные сведения позволяют использовать сегнетоэлектрики в электронике и других областях техники, в том числе для создания сегнетоэлектрических энергонезависимых запоминающих устройств (FRAM) и диэлектрических слоев в интегральных схемах.

Для студентов, аспирантов, преподавателей вузов, практических специалистов и научных работников.

Возрастное ограничение: 0+ Дата написания: 2007 Правообладатель: Лаборатория знаний

Реклама. ООО ЛИТРЕС, ИНН 7719571260, erid: 2VfnxyNkZrY

Добавить комментарий

Последние комментарии