Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
Загрузка...Жанры:
Читать онлайн:
Вам понравится:
Описание:
Книга автора В. Н. Мурашев. Относится к жанрам: . Объем: 48 стр.. Дата написания: 2001. Возрастное ограничение: 0+.
Вы можете в один клик скачать книгу ‘Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет’ в форматах fb2, ePub, txt без регистрации. Или же, выбирая подходящий Вам вариант, читать онлайн ‘Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет’ на нашем сайте. Здесь Вы легко сможете выбрать нужную книгу в соответствии со своими предпочтениями.
Если Вы ещё не определились с выбором, то посмотрите разделы «Рейтингов» и «Обзоров книг» нашего сайта, там сможете подобрать книгу или серию книг, которые Вам обязательно понравятся.
Аннотация:
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
Реклама. ООО ЛИТРЕС, ИНН 7719571260, erid: 2VfnxyNkZrY